삼성전자 HBM 전망.

안녕하세요 피맨입니다.

 

 

삼성전자 주식 전망이 궁금하시죠?

 

앞으로 HBM에 대해 알아볼께요 :)

 

 

삼성전자는 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM) 분야에서 지속적인 기술 개발과 시장 확대를 추진하고 있습니다.

 

HBM은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 적층하고, 실리콘 관통 전극(TSV)을 통해 연결하여 데이터 전송 속도를 높인 메모리 기술입니다.

 

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삼성전자의 HBM 개발 현황:

• HBM3E 개발 및 양산: 2024년 2월, 삼성전자는 업계 최초로 36GB 용량의 HBM3E(5세대 HBM) 12단 D램 개발에 성공했습니다. 이 제품은 24Gb D램 칩을 TSV 기술로 12단 적층하여 높은 용량과 성능을 제공합니다.
• 엔비디아와의 협력: 2024년 12월, 삼성전자의 8단 적층 HBM3E 칩이 엔비디아의 품질 승인을 받아, 엔비디아의 중국 시장용 AI 프로세서에 공급될 예정입니다.
• HBM4 개발 계획: 삼성전자는 차세대 HBM4 개발을 위해 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술을 도입하고 있습니다. 이 기술은 16단 이상의 HBM 적층에 필수적이며, 데이터 전송 속도와 전력 효율을 향상시키는 데 기여합니다.

 

 

시장 동향 및 전망:

• HBM 시장 성장: JP모간에 따르면, 2025년 HBM 시장 규모는 약 380억 달러(한화 약 54조 8천억 원)에 달할 것으로 예상됩니다. 이 중 SK하이닉스가 50%, 삼성전자가 30% 이상의 시장 점유율을 차지할 것으로 전망됩니다.
• 경쟁사 동향: SK하이닉스는 2024년 초 업계 최초로 8단 적층 HBM3E 양산을 시작했으며, 같은 해 말에는 12단 적층 제품 공급도 시작했습니다.

 

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삼성전자의 전략:

• 생산 능력 확대: 삼성전자는 2025년 HBM 공급량을 전년 대비 2배로 늘릴 계획입니다. 이를 통해 AI 및 고성능 컴퓨팅 시장의 수요 증가에 대응하고, 시장 경쟁력을 강화하고자 합니다.
• 첨단 기술 도입: 하이브리드 본딩 등 첨단 패키징 기술을 도입하여 차세대 HBM 제품의 성능과 생산 효율을 높이고, 고객 맞춤형 로직 다이 설계를 통해 다양한 시장 요구에 대응하고 있습니다.